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三星3nm GAAFET 制程将推迟至 2024 年

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发表于 2021-7-2 02:07:34|来自:中国 | 显示全部楼层 |阅读模式
<p>据外媒消息,三星的3nm芯片制程将被推迟到2024年。该公司将此特定节点命名为3GAE。2024年是三星能够在3GAE上大规模生产芯片的最早日期,这意味着该公司和英特尔将开始在代工技术上明显落后于台积电。</p><p>
<img src="https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/13716007840/641"/>
</p><p>作为目前的半导体制造巨头,台积电将在2024年左右努力实现2nm的制程的量产,这多亏了利用EUV多图形化、在接触和互连中广泛使用钴、锗掺杂通道等,以及其他内部创新措施。</p><p>
<img src="https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/13716007843/641"/>
</p><p>英特尔牙膏厂实在是不给力,代工技术在小于10纳米的领域发展极为缓慢,目前三星是唯一可以替代台积电的顶级逻辑芯片制造。</p><p>(7716319)</p><br>来源:<a href="https://xw.qq.com/cmsid/20210701A04AB000" target="_blank">https://xw.qq.com/cmsid/20210701A04AB000</a><br>免责声明:如果侵犯了您的权益,请联系站长,我们会及时删除侵权内容,谢谢合作!
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